Южнокорейская компания Samsung заявила, что 256-гигабайтные чипы для хранения данных больше не являются максимальной производительностью на мобильных устройствах.
Samsung начинает массовое производство 512 ГБ флэш-памяти eUFS, передает СобКор.
«Обеспечив раннее, стабильное предложение этого усовершенствованного встроенного хранилища, Samsung делает большой шаг вперед в содействии своевременному запуску мобильных устройств следующего поколения мобильных производителей по всему миру», - сказал исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти в Samsung Electronics Джешу Хан (Jaesoo Han)
Хранилища eUFS состоят из восьми 64-разрядных чипов V-NAND с 512 ГБ и чипа контроллера, обеспечивающего такую емкость.
Помимо этого, новая схема и технология управления мощностью минимизируют неизбежное увеличение потребляемой энергии. Кроме того, хранилище eUFS объемом 512 ГБ ускоряет процесс сопоставления при преобразовании адресов логических блоков в физические блоки.
Кроме того чипы хранения eUFS 512GB обеспечивают в восемь раз более высокую производительность чтения, чем обычная карта microSD. Например, 5-гигабайтный видеоролик Full HD можно перенести на SSD за 6 секунд.
Новости по теме: В результате проведения утилизации компонентов к фаблету Galaxy Note7, компания-производитель рассчитывает восстановить 157 тонн редких металлов, включая золото. Об этом говорится в официальном заявлении Samsung Electronics.