Samsung начинает производство 512 ГБ флэш-памяти для мобильных устройств

Эти чипы обеспечивают в восемь раз более высокую производительность чтения

Южнокорейская компания Samsung заявила, что 256-гигабайтные чипы для хранения данных больше не являются максимальной производительностью на мобильных устройствах.

Samsung начинает массовое производство 512 ГБ флэш-памяти eUFS, передает СобКор.

«Обеспечив раннее, стабильное предложение этого усовершенствованного встроенного хранилища, Samsung делает большой шаг вперед в содействии своевременному запуску мобильных устройств следующего поколения мобильных производителей по всему миру», - сказал исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу памяти в Samsung Electronics Джешу Хан (Jaesoo Han)

Хранилища eUFS состоят из восьми 64-разрядных чипов V-NAND с 512 ГБ и чипа контроллера, обеспечивающего такую емкость.

Помимо этого, новая схема и технология управления мощностью минимизируют неизбежное увеличение потребляемой энергии. Кроме того, хранилище eUFS объемом 512 ГБ ускоряет процесс сопоставления при преобразовании адресов логических блоков в физические блоки.

Кроме того чипы хранения eUFS 512GB обеспечивают в восемь раз более высокую производительность чтения, чем обычная карта microSD. Например, 5-гигабайтный видеоролик Full HD можно перенести на SSD за 6 секунд.

Новости по теме: В результате проведения утилизации компонентов к фаблету Galaxy Note7, компания-производитель рассчитывает восстановить 157 тонн редких металлов, включая золото. Об этом говорится в официальном заявлении Samsung Electronics.